Aluminum Nitride Substrate

Mullitesubstrate(3 a1203. 2Si02): ay isa sa mga pinaka-matatag na phase ng kristal sa A1203-Si02 binary system, kahit na ang mekanikal na lakas at thermal conductivity ay mababa kumpara sa A1203, ngunit ang dielectric na pare-pareho nito ay Mababang, kaya ito ay inaasahan na higit pang mapabuti ang signal bilis ng transmission. Ang koepisyent ng thermal expansion ay mababa din, na maaaring mabawasan ang thermal stress ng LSI, at ang pagkakaiba sa koepisyent ng thermal expansion ng conductor material Mo, W ay maliit, at sa gayon ay may mababang stress sa pagitan ng conductor sa panahon ng pagbibisikleta.

aluminyosubstrate ng nitride:
a. Raw material: Ang AIN ay isang hindi natural na presensya ngunit isang artipisyal na mineral noong 1862, ay unang na-synthesize ni Genther et al. Ang representasyon ng representasyon ng Aln powder ay upang bawasan ang paraan ng nitride at ang direktang paraan ng nitridation. Ang una ay tumutugon sa isang mataas na kadalisayan na pagbabawas ng carbon sa A1203, at pagkatapos ay tumutugon sa nitrogen, at ang huli ay direktang Nitriding. ;

b. Paraan ng paggawa: A1203substrateAng pagmamanupaktura ay maaaring gamitin sa paggawa ng mga substrate ng AIN, kung saan ang pinakamataas na paggamit ng paraan ng organic lamination, iyon ay, ang AIN raw material powder, isang organic adhesive, at isang solvent, surfactant mixed Ceramic slurry, naipasa, nakalamina, hot press, degreasing, nasusunog

C. Ang mga katangian ng substrate ng AIN: Ang AIN ay higit sa 10 beses, at tumutugma ang CTE sa silicon wafer. Ang materyal ng AIN ay medyo nauugnay sa A1203, ang resistensya ng pagkakabukod, ang pagkakabukod, at ang dielectric na pare-pareho ay mas mababa. Ang mga tampok na ito ay napakabihirang para sa mga aplikasyon ng substrate ng packaging;

d. Application: Ginagamit para sa VHF (Ultra High Frequency) Frequency Belt Power Amplifier Module, High Power Device, at Laser Diode Substrate.